发明名称 Method of Fabricating CIGS Film
摘要 <p>박막 태양전지를 구성하는 CIGS 박막의 제조방법이 개시된다. 하이 레벨과 로우 레벨이 반복적으로 인가되는 펄스 열 형태의 전압의 인가와 열처리를 통해 CIGS 박막은 형성될 수 있다. 하이 레벨을 가진 전압의 인가에 따라 Se 이온 또는 Cu 이온이 전착되고, 로우 레벨을 가지는 전압의 인가에 따라 Ga 이온 및 In 이온이 전착된다. 또한, 작업 전극에 인가되는 전압은 3단계의 레벨을 가진 스텝 펄스의 형태로 인가될 수 있다. 이를 통해 빠른 공정 시간 내에 CIGS 박막의 형성이 이루어질 수 있다.</p>
申请公布号 KR101532139(B1) 申请公布日期 2015.06.30
申请号 KR20130109655 申请日期 2013.09.12
申请人 发明人
分类号 H01L31/04;H01L31/18 主分类号 H01L31/04
代理机构 代理人
主权项
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