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发明名称 METHOD FOR FORMING RUTHENIUM METAL CAP LAYERS
摘要 <p>구리(Cu) 금속에서의 일렉트로마이그레이션 및 스트레스 마이그레이션을 개선하기 위하여, 반도체 디바이스에 루테늄(Ru) 금속을 증착시키기 위한 방법이 제공된다. 본 발명의 실시예는, NH(x≤3) 라디칼과 H 라디칼에 의해 금속층과 로우-k 유전체 재료를 갖는 패턴 형성 기판을 처리하는 처리 단계를 포함하여, 로우-k 유전체 재료에 대하여 금속층 상에 Ru 금속캡층을 선택적으로 형성하는 것을 개선시킨다.</p>
申请公布号 KR101532814(B1) 申请公布日期 2015.06.30
申请号 KR20117006624 申请日期 2009.09.29
申请人 发明人
分类号 H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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