METHODS, DEVICES, AND SYSTEMS FOR DEALING WITH THRESHOLD VOLTAGE CHANGE IN MEMORY DEVICES
摘要
<p>본원은 메모리 디바이스들에서 임계 전압 변화들을 처리하는 방법들, 디바이스들, 및 시스템들을 포함한다. 다수의 실시예들은 메모리 셀들의 어레이 및 그 어레이에 커플링된 감지 회로를 갖는 제어 회로를 포함한다. 제어 회로는 레퍼런스 셀을 사용하지 않고 메모리 셀들과 관련된 임계 전압(Vt)들에서의 변화들을 결정하고, 결정된 변화들에 기초하고 레퍼런스 셀들을 사용하지 않고 감지 회로를 조정하도록 구성된다.</p>
