Multi-level non-volatile semiconductor device, memory system having the same and Operating method there-of

摘要

비휘발성 메모리 장치, 및 그의 프로그램 방법이 개시된다. 본 발명의 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은 프로그램 펄스의 펄스폭은 고정시키고 펄스 전압은 스텝 전압만큼 증가시키며 프로그램-검증 단계를 반복 실행하는 제 1 프로그램 단계; 및 상기 펄스 전압이 미리 정해진 최대 프로그램 전압에 도달한 후에는, 상기 프로그램 펄스의 펄스폭은 미리 정해진 룰에 따라 증가되도록 가변시키고 상기 펄스 전압은 고정시켜 프로그램-검증 단계를 반복 실행하는 제 2 프로그램 단계를 구비하여, 프로그램 디스터브를 감소시킴으로써 디스터브 에러를 줄이는 효과가 있다.