发明名称 INSULATING FILM PATTERN FOR FABRICATING THIN FILM TRARNSISTOR, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRASISTOR SUBSTRATE USING THE SAME
摘要 <p>박막 트랜지스터 제조용 절연막 패턴은 일면에 박막 트랜지스터의 소오스 전극과 드레인 전극 및 반도체층을 형성하기 위한 제1 패턴부가 형성된다. 제1 패턴부는 절연막 패턴의 일면으로부터 함몰되어 음각 형상을 갖는다. 이에 따라, 절연막 패턴은 잉크 젯 프린트 방식을 이용하여 박막 트랜지스터를 형성할 수 있으므로, 제조 원가를 절감하고, 공정 단계를 단축시키며, 생산성을 향상시킬 수 있다.</p>
申请公布号 KR101532058(B1) 申请公布日期 2015.06.29
申请号 KR20080094787 申请日期 2008.09.26
申请人 发明人
分类号 G02F1/1335;G02F1/136 主分类号 G02F1/1335
代理机构 代理人
主权项
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