| 摘要 |
<p>본 발명은, 반도체층을 증착하여 성막할 때에, 반도체층의 온도를 직접 고정밀도로 알 수 있는 온도 측정 방법 및 온도 측정 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 성막 중 또는 성막 후의 반도체층이 온도(Ts)에 도달했을 때에 광의 투과율이 급격히 변화하는 파장(λs)의 레이저광을 사용하여, 이 레이저광의 반도체층에 대한 투과량을 광 검출 장치에 의해 모니터한다. 반도체층에 부여하는 열을 변화시키면, 시각 A 또는 B 혹은 C에 있어서 반도체층의 온도가 Ts에 도달했을 때에 상기 광 검출 장치에 의해 모니터되는 레이저광의 수광량이 급격히 변화한다. 그 때문에, 시각 A 또는 B 혹은 C에 있어서 반도체층의 온도가 Ts에 도달한 것을 정확히 알 수 있고, 예컨대 온도 변화 측정 장치에 의해 관측된 온도 정보의 오차의 교정 등이 가능해진다.</p> |
