| 摘要 |
<p>본 발명은 방향족기를 반복 단위의 20 내지 100 몰％ 이하의 범위로 가지며, 산에 의해 알칼리에 용해하는 고분자 화합물을 포함하는 제1 포지티브형 레지스트 재료를 기판 상에 도포하여 제1 레지스트막을 형성하는 공정과, 제1 레지스트막 상에 제1 레지스트막을 용해시키지 않는 탄소수 3 내지 8의 알킬알코올을 용매로 하는 제2 포지티브형 레지스트 재료를 도포하여 제2 레지스트막을 형성하는 공정과, 고에너지선으로 노광하고, 베이킹 후, 현상액을 이용하여 상기 제1과 제2 레지스트막을 동시에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 패턴 형성 방법에 따르면, 현상 후에 기판면을 개구시킬 수 있다. 본 발명에서는 제2층의 레지스트막 단독의 경우보다 현상 후의 레지스트 패턴을 마스크로 하여 기판을 에칭 가공하거나 이온을 주입할 때의 내성을 높게 할 수 있다.</p> |
