| 摘要 |
<p>Procédé de modification de l'état de contrainte d'un bloc de matériau semi-conducteur comprenant des étapes : - d'amorphisation d'une région inférieure (12a, 22a, 32a) d'un bloc de matériau semi-conducteur reposant sur un substrat tandis que la structure cristalline d'une région inférieure (12b, 22b, 32b) du bloc et en contact avec la région supérieure est conservée, - de recuit de fluage selon un budget thermique adapté pour permettre le fluage de la région inférieure (12b, 22b, 32b) sans recristalliser le matériau de cette région inférieure, - de recuit de recristallisation de la région inférieure (12b, 22b, 32b).</p> |
