Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen desselben

摘要

Offenbart sind ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Bauelement kann eine n-Typ Epitaxieschicht (200) angeordnet auf einer ersten Oberfläche eines n+-Typ Siliziumcarbid-Substrats (100); eine p-Typ Epitaxieschicht (300) angeordnet auf einer n-Typ Epitaxieschicht (200); ein n+-Bereich (500) angeordnet auf der p-Typ Epitaxieschicht (300); einen Graben (550) durch die p-Typ Epitaxieschicht (300) und den n+-Bereich (500) hindurch, und angeordnet auf der n-Typ Epitaxieschicht (200); ein p+-Bereich (400) angeordnet auf der n-Typ Epitaxieschicht (200) und separiert von dem Graben (550); eine Gate-Isolierschicht (600) angeordnet in dem Graben (550); eine Gate-Elektrode (700) angeordnet auf der Gate-Isolierschicht (600); eine Oxidschicht (610) angeordnet auf der Gate-Elektrode (700); eine Source-Elektrode (800) angeordnet auf dem n+-Bereich, der Oxidschicht (610), und dem p+-Bereich; und eine Drain-Elektrode (900) angeordnet auf einer zweiten Oberfläche des n+-Typ Siliziumcarbid-Substrats (100), in welchem Kanäle an beiden Seiten des Grabens (550) angeordnet sind.