发明名称 MEMS Sensor für schwierige Umgebungen und Medien
摘要 Die Erfindung betrifft einen typischerweise CMOS prozessierten mikromechanischen Sensor (3) aus Silizium, mit einer Sensorzelle und mindestens einem mikromechanischen Funktionselement, das mit seiner CMOS-Oberfläche in direkten Kontakt mit einem aggressiven Medium stehen kann. Dabei weist der dass der mikromechanische Sensor (3) auf der CMOS prozessierten Oberfläche zumindest einem ersten Bereich (A) auf, der die Sensorzelle umfasst und der für den direkten Kontakt mit dem Medium verwendet werden kann. Wesentlich ist, dass dieser erste Bereich (A) keine Metallisierung aufweist und somit nicht korrosionsanfällig ist. Des Weiteren weist der erfindungsgemäße Sensor einen zweiten Bereich (B) auf, der ebenfalls keine Metallisierung aufweist. Es ist die Funktion des zweiten Bereiches (B), zusammen mit einer ersten Dichtung oder Moldmasse (77) den Durchtritt des Mediums in einen dritten Bereich (C) des mikromechanischen Sensors abzudichten und damit zu verhindern. Das Bondsystem und alle eine Metallisierung erfordernden Schaltungskomponenten sind in einem dritten Bereich (C) angesiedelt. Der zweite Bereich (B) befindet sich auf der prozessierten Oberfläche immer zwischen dem dritten Bereich (C) und dem ersten Bereich (A) sodass der der dritte Bereich (C) von dem ersten Bereich (A) auf der prozessierten Oberfläche nicht berührt wird.
申请公布号 DE102014000243(B4) 申请公布日期 2015.06.25
申请号 DE20141000243 申请日期 2014.01.06
申请人 ELMOS SEMICONDUCTOR AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 BURCHARD, BERND
分类号 B81B3/00;B81B7/02;G01K7/00;G01L9/04;G01L23/00 主分类号 B81B3/00
代理机构 代理人
主权项
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