摘要 |
<p>Halbleiterbauelement, umfassend: einen Halbleiterchip; eine Schicht (11) geringen elektrischen Widerstands eines ersten Leitfähigkeitstyps oder eines zweiten Leitfähigkeitstyps im unteren Abschnitt des Halbleiterchips; eine Durchbruchspannung-Schutzschicht (12) über der Schicht geringen elektrischen Widerstands, wobei die Durchbruchspannung-Schutzschicht mindestens eine Halbleiterzone des ersten Leitfähigkeitstyps umfaßt; eine Wannenzone (13) des zweiten Leitfähigkeitstyps im Oberflächenabschnitt der Durchbruchspannung-Schutzschicht; eine Source-Zone (15) des ersten Leitfähigkeitstyps im Oberflächenabschnitt der Wannenzone; Oberflächenzonen (14) des ersten Leitfähigkeitstyps, welche diejenigen Abschnitte der Durchbruchspannung-Schutzschicht sind, die sich bis zur Oberfläche des Halbleiterchips erstrecken und von der Wannenzone umgeben sind; eine Gate-Elektrode (18), die unter Zwischenlage eines Gate-Isolierfilms (17) über den Abschnitten der Wannenzone angeordnet ist, die sich zwischen den jeweiligen Oberflächenzonen und den Source-Zonen erstrecken; eine Source-Elektrode (19), die sich sowohl in Kontakt mit der Source-Zone als auch der Wannenzone befindet; und eine Drain-Elektrode (20) auf der Rückseite der Schicht geringen elektrischen Widerstands; wobei das Verhältnis zwischen dem Gesamtflächeninhalt der Oberflächenzonen und dem Flächeninhalt der Wannenzone einschließlich der Source-Zone zwischen 0,01 und 0,2 liegt.</p> |