发明名称 Halbleiterbauelement
摘要 <p>Halbleiterbauelement, umfassend: einen Halbleiterchip; eine Schicht (11) geringen elektrischen Widerstands eines ersten Leitfähigkeitstyps oder eines zweiten Leitfähigkeitstyps im unteren Abschnitt des Halbleiterchips; eine Durchbruchspannung-Schutzschicht (12) über der Schicht geringen elektrischen Widerstands, wobei die Durchbruchspannung-Schutzschicht mindestens eine Halbleiterzone des ersten Leitfähigkeitstyps umfaßt; eine Wannenzone (13) des zweiten Leitfähigkeitstyps im Oberflächenabschnitt der Durchbruchspannung-Schutzschicht; eine Source-Zone (15) des ersten Leitfähigkeitstyps im Oberflächenabschnitt der Wannenzone; Oberflächenzonen (14) des ersten Leitfähigkeitstyps, welche diejenigen Abschnitte der Durchbruchspannung-Schutzschicht sind, die sich bis zur Oberfläche des Halbleiterchips erstrecken und von der Wannenzone umgeben sind; eine Gate-Elektrode (18), die unter Zwischenlage eines Gate-Isolierfilms (17) über den Abschnitten der Wannenzone angeordnet ist, die sich zwischen den jeweiligen Oberflächenzonen und den Source-Zonen erstrecken; eine Source-Elektrode (19), die sich sowohl in Kontakt mit der Source-Zone als auch der Wannenzone befindet; und eine Drain-Elektrode (20) auf der Rückseite der Schicht geringen elektrischen Widerstands; wobei das Verhältnis zwischen dem Gesamtflächeninhalt der Oberflächenzonen und dem Flächeninhalt der Wannenzone einschließlich der Source-Zone zwischen 0,01 und 0,2 liegt.</p>
申请公布号 DE10153739(B4) 申请公布日期 2015.06.25
申请号 DE2001153739 申请日期 2001.10.31
申请人 FUJI ELECTRIC CO., LTD. 发明人 KOBAYASHI, TAKASHI;FUJIHARA, TATSUHIKO;ABE, HITOSHI;NIIMURA, YASUSHI;INOUE, MASANORI
分类号 H01L29/78;H01L23/29;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/739 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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