Verfahren zum Fertigen von Tunneltransistoren mit abrupten Übergängen und entsprechende Tunneltransistoren

摘要

Verfahren zum Fertigen eines Tunnel-Feldeffekttransistors (TFET), das aufweist: a) Ausbilden eines von Seitenwand-Abstandselementen (320) umgebenen Dummy-Gate-Stapels (310) auf einem Substrat (200), das durch ein epitaktisch aufgewachsenes Source-Material (220) bedeckt ist; b) Ausbilden von dotierten Source-(510) und Drain-(520)Bereichen, gefolgt von einem Zwischenschichtdielektrikum (ILD) (510), das die Seitenwand-Abstandselemente (320) umgibt; c) Entfernen des Dummy-Gate-Stapels (310), gefolgt von einem Ätzen eines selbstausgerichteten Hohlraums (710); d) epitaktisches Aufwachsen eines dünnen Kanals innerhalb des selbstausgerichteten Ätzhohlraums; und e) Abscheiden von Gate-Dielektrikum- und Gate-Materialien Innerhalb des selbstausgerichteten Ätzhohlraums.