VERFAHREN ZUR VERARBEITUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG

摘要

Gemäß einer Ausführungsform wird ein Verfahren zur Verarbeitung einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt, das Folgendes aufweist: das Ausbilden einer abschließenden Metallschicht, das Ausbilden einer Passivierungsschicht über der abschließenden Metallschicht und das Strukturieren der Passivierungsschicht und der abschließenden Metallschicht zur Ausbildung einer strukturierten Metallschicht und einer strukturierten Passivierungsschicht, wobei die strukturierte Metallschicht einen Anschlussflächenbereich aufweist, der durch die strukturierte Passivierungsschicht abgedeckt ist.