ＧａＮ成長に使用される複合基板の製造方法

摘要

本発明はGaN成長に使用される複合基板の製造方法を公開する。まず、サファイア基板において、GaN単結晶エピタキシャル層を成長させ、そして、エポキン系瞬間接着剤により当該GaNエピタキシャルウエハを仮基板に接着させた後に、サファイア基板をレーザーリフトオフし、仮基板においてのGaNエピタキシャルウエハと熱伝導・電気伝導基板をボンディングし、仮基板が脱落し、ガリウム極性面が上向きのGaN層と熱伝導・電気伝導基板がボンディングされた複合基板を獲得することができる。サファイア基板においてのGaN層と熱伝導・電気伝導基板を直接にボンディングし、サファイア基板をレーザーリフトオフすれば、窒素極性面が上向きのGaN層と熱伝導・電気伝導基板がボンディングされた複合基板を獲得することができる。本発明が製造された複合基板は、ホモエピタキシャルを保証すると同時に、結晶体の質を向上させ、直接に垂直構造のLEDを作製することができる。さらに、薄いGaN単結晶層だけを使用するため、コストを大幅に低減させ、実際上の応用に極めて優位性を持っている。【選択図】図７