Leistungselektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungselektronikmoduls

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leistungselektronikmodul und ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungselektronikmoduls. Das Leistungselektronikmodul (1) weist ein DCB-Substrat (2) auf, auf dem zumindest eine Kupferbahn (3) als Oberflächenstruktur angeordnet ist. Es sind zumindest ein Leistungselektronikchip (4) und zumindest ein Treibermodul (5) mit jeweils zumindest zwei zur Oberfläche (3a) der Kupferbahn (3) weisenden Anschlüssen (6a, 6b, 13a, 13b) angeordnet. Erfindungsgemäß wird eine elektrische Verbindung zwischen dem Treibermodul (5) und dem Leistungselektronikchip (4) mittels zumindest zweier auf der Kupferbahn (3) aufgebrachten elektrisch leitenden Dickfilmstrukturen (8, 8a, 8b) und zumindest einer auf der Kupferbahn (3) aufgebrachten nicht-leitenden Dickfilmschicht (9) bereitgestellt.