用于形成埋式下电极连同封装的MEMS装置的系统和方法

摘要

用于形成具有埋式第一电极的传感器装置的系统和方法包括提供具有电极层的第一硅部分和具有装置层的第二硅部分。第一硅部分和第二硅部分沿着形成在第一硅部分的电极层和第二硅部分的装置层上的共同的氧化层邻接。所形成的多硅堆包括埋式下电极，所述埋式下电极由埋氧化层、高掺杂式离子注入区域或它们的组合来进一步限定。所述多硅堆具有多个硅层和二氧化硅层，且每层中都有考虑到下电极和上电极的电隔离区域。所述多硅堆还包括使得能从传感器装置的上侧接入下电极的间隔件。

主权项

一种形成MEMS装置的方法，包括：在绝缘体上硅(SOI)晶圆中限定出第一电极；在第一层中形成第二电极，所述第一层位于SOI晶圆的上表面之上；在第二层中形成第三电极，所述第二层位于第一层的上表面之上；在第二层之上形成第一触点，所述第一触点通过第二层和第一层与第一电极电通信；在第二层之上形成第二触点，所述第二触点通过第二层与第二电极电通信；和在第二层之上限定出第三触点，所述第三触点与第三电极电通信。