一种应用于晶体硅湿法刻蚀可控边的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种应用于晶体硅湿法刻蚀可控边的刻蚀方法，包括：将硅片的四周印刷石蜡栅线，形成遮挡物；在刻蚀槽中配入氟化氢、硝酸以及浓硫酸，浓硫酸；刻蚀硅片的PN结；使用去离子水对刻蚀槽中携带的酸进行稀释；在碱洗槽中配入碱洗液对石蜡栅线进行清洗；再使用去离子水进行碱洗；在酸槽中配入的氟化氢，用于中和碱，去除硅片表面的二氧化硅层，使得硅片表面处于托干状态；通过两组上下热风刀吹出的干净气体来吹干硅片；烘干质检。在刻蚀槽前增加遮挡物来阻挡腐蚀液体越过硅片表面，精确的控制了刻蚀边宽，减小了湿法刻蚀时对排风的要求及设备对刻边的要求；在提高电压的情况下提高效率，有利于电池输出功率的提高，减少电池本身的损耗。

主权项

一种应用于晶体硅湿法刻蚀可控边的刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)在70°‑80°的温度下，将硅片的四周印刷一圈石蜡栅线，且形成一圈封闭的遮挡物；(2)在刻蚀槽中配入氟化氢35g/l、硝酸375g/l以及浓度为98％的硫酸；(3)配好液后对刻蚀槽中的硅片进行刻蚀，刻蚀硅片周边的PN结和硅片背面PN结，刻蚀的厚度为0.6um‑1.4um；(4)使用去离子水对刻蚀槽中携带的酸进行稀释；(5)在对步骤(4)进行水洗后，硅片进入碱洗槽，在碱洗槽中配入质量浓度为110g/l的氢氧化钠溶液和质量浓度为100g/l的消泡剂对硅片上的石蜡栅线进行清洗；(6)碱洗之后，使用去离子水对步骤(5)中携带的碱进行清洗；(7)在酸槽中配入质量浓度为175g/l的氟化氢，用于中和步骤(6)中携带的碱，去除硅片表面的二氧化硅层，使得硅片表面处于托干状态；(8)在步骤(7)之后对硅片进行烘干，通过两组上下热风刀吹出的干净气体来吹干硅片；(9)烘干硅片后，对其进行质量检测，排查刻蚀不合格的硅片。