发明名称 一种高纯氧化镁的制备方法
摘要 本发明提供了一种高纯氧化镁的制备方法,具体步骤为:(1)去离子水加入碳酸铵得到第一溶液备用;(2)硝酸镁加入去离子水中,滤液浓缩至比重1.4-1.45,放冷分离并得到结晶;(3)将晶体加入90℃去离子水中溶解,加入部分第一溶液至溶液浑浊并析出少量沉淀,静置4-7h后过滤,滤液必须澄清,得第二溶液备用;(4)向第二溶液中加入剩余的第一溶液,至沉淀完全,分离沉淀,经100℃纯水少量多次洗涤至无NH<sup>4+</sup>离子,得沉淀;(5)将沉淀甩干,70-80℃烘干后,光谱检测,将检测合格的沉淀放入高温炉中400-500℃灼烧11-12h,冷却后即得;所述方法制得氧化镁纯度高,满足了电子领域对于氧化镁纯度的需求。
申请公布号 CN104724731A 申请公布日期 2015.06.24
申请号 CN201310739148.2 申请日期 2013.12.23
申请人 天津市科密欧化学试剂有限公司 发明人 李刚;刘庆山
分类号 C01F5/02(2006.01)I 主分类号 C01F5/02(2006.01)I
代理机构 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 代理人 李蕊
主权项 一种高纯氧化镁的制备方法,其特征在于:具体制备步骤如下:(1)将去离子水加热至35‑45℃,加入碳酸铵,溶解,过滤,得到第一溶液备用;(2)将硝酸镁加入到去离子水中,加热溶解,过滤,滤液浓缩至比重1.4‑1.45,放冷,完全冷却结晶,分离并得到结晶,备用;(3)将晶体加入90℃去离子水中溶解,加入部分第一溶液至溶液浑浊并析出少量沉淀,静置4‑7h后过滤,滤液必须澄清,得第二溶液备用;(4)向第二溶液中加入剩余的第一溶液,至沉淀完全,分离沉淀,经100℃纯水少量多次洗涤至无NH<sup>4+</sup>离子,得沉淀;(5)将沉淀甩干,70‑80℃烘干后,光谱检测,将检测合格的沉淀放入高温炉中400‑500℃灼烧11‑12h,冷却后即得。
地址 300000 天津市津南区咸水沽镇工业园区兴园路11号