| 发明名称 | 用于沟道应变的锗分布 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于沟道应变的锗分布。本发明涉及一种晶体管器件，其具有应变源极/漏极区，应变源极/漏极区包括具有不连续的锗浓度分布的应变诱导材料。在一些实施例中，该晶体管器件具有设置在半导体衬底上的栅极结构。具有应变诱导材料的源极/漏极区沿着栅极结构的一侧设置在半导体衬底中的源极/漏极凹槽内。应变诱导材料具有沿着从源极/漏极凹槽的底面延伸到源极/漏极凹槽的顶面的线的不连续的锗浓度分布。不连续的锗浓度分布提供改进的应变增强和位错传播。 | ||
| 申请公布号 | CN104733513A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201410327471.3 | 申请日期 | 2014.07.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 宋学昌;郭紫微;李昆穆;李资良;李启弘 |
| 分类号 | H01L29/16(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种晶体管器件，包括：栅极结构，设置在半导体衬底上；以及应变源极/漏极区，包括应变诱导材料，所述应变诱导材料在位于所述半导体衬底中的源极/漏极凹槽内邻接所述栅极结构的位置处设置；其中，所述应变诱导材料包括应变诱导组分，所述应变诱导组分具有沿着从所述源极/漏极凹槽的底面延伸到所述源极/漏极凹槽的顶面的线的不连续的浓度分布。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||