| 发明名称 | 用于加工半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于加工半导体器件的方法。依据一个实施例，提供用于加工半导体器件的方法，所述方法包含：形成最终金属层；在最终金属层之上形成钝化层；并且结构化钝化层和最终金属层以形成图案化的金属层和图案化的钝化层，其中图案化的金属层包含被图案化的钝化层覆盖的焊盘区。 | ||
| 申请公布号 | CN104733288A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201410806947.1 | 申请日期 | 2014.12.23 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | W.莱纳特;M.罗加利 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 申屠伟进;胡莉莉 |
| 主权项 | 一种用于加工半导体器件的方法，包括：形成最终金属层；在最终金属层之上形成钝化层；结构化钝化层和最终金属层以形成图案化的金属层和图案化的钝化层，其中图案化的金属层包含被图案化的钝化层覆盖的焊盘区。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||