发明名称 一种应用于软岩和极软岩的光面爆破方法
摘要 一种应用于软岩和极软岩的光面爆破方法,包括在作业面上打孔和装药,及起爆过程,所述打孔具体为:沿作业面周边的边界轮廓线钻孔,光爆层由位于边界轮廓线的周边光爆孔列和仅靠周边光爆孔的外圈崩落孔列间岩体组成,所述周边光爆孔列外侧还具有处理欠挖短孔列;外圈崩落孔和周边光爆孔均按照软岩光面爆破设计,形成双层光面爆破。处理欠挖短孔和外圈崩落孔内装入炸药和导爆索,所述周边光爆孔的装药分为两种情况:只装导爆索或装入导爆索与少量孔底加强炸药。采用本发明所述应用于软岩和极软岩的光面爆破方法,有效减轻了爆破对围岩的扰动,避免了因爆破振动、冲击造成围岩大量超挖的情况,并且岩层爆破脱落效果很好。
申请公布号 CN104729369A 申请公布日期 2015.06.24
申请号 CN201510097442.7 申请日期 2015.03.05
申请人 中国水利水电第五工程局有限公司 发明人 杨玉银;陈长贵;王进良;黄浩;刘志辉
分类号 F42D1/00(2006.01)I;F42D1/08(2006.01)I;F42D3/04(2006.01)I 主分类号 F42D1/00(2006.01)I
代理机构 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人 罗言刚
主权项 一种应用于软岩和极软岩的光面爆破方法,包括在作业面上打孔和装药,及起爆过程,其特征在于:所述打孔具体为:沿作业面的顶部边界定义光爆层,光爆层由位于外侧靠近顶部边界的周边光爆孔列和位于紧邻周边光爆孔列的外圈崩落孔列之间的岩体组成,所述周边光爆孔列外侧还具有处理欠挖短孔列,所述处理欠挖短孔列中的处理欠挖短孔与周边光爆孔列中的周边光爆孔交错分布;所述处理欠挖短孔的深度为周边光爆孔深度的0.36~0.50倍;作业面顶部下方还设置有掏槽孔列;所述光爆层厚度为W=(1.0~1.15)*E,E为周边光爆孔的平均孔距;所述装药具体为:处理欠挖短孔和外圈崩落孔内装入炸药和导爆索,所述周边光爆孔的装药分为以下两种情况A1‑A2:A1.针对软岩光面,每一周边光爆孔均装入炸药和导爆索;装有炸药和导爆索的装药量是外圈崩落孔装药量的0.2‑0.4倍;A2.针对极软岩光面,周边光爆孔列采用间隔装药,即每一周边光爆孔均装入导爆索,每间隔一个周边光爆孔装入炸药;仅装导爆索的装药量是外圈崩落孔装药量的0.05‑0.2倍,装有炸药和导爆索的装药量是外圈崩落孔装药量的0.2‑0.4倍;所述周边光爆孔、外圈崩落孔、处理欠挖短孔均垂直于作业面;周边光爆孔与外圈崩落孔均按照软岩光面爆破规则设计;所述起爆过程中,周边光爆孔列、处理欠挖短孔列同时起爆,外圈崩落孔列的起爆时间早于周边光爆孔列,掏槽孔列的起爆时间早于外圈崩落孔列。
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