发明名称 一种高效低成本N型背结前接触单晶电池的制作方法
摘要 本发明提供了一种高效低成本N型背结前接触单晶电池的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在N型单晶硅片的正面制绒,使用磷扩散,刻蚀清洗,镀减反膜;步骤2:在N型单晶硅片的背面印刷纳米硅硼浆并烘干;步骤3:在N型单晶硅片的背面对纳米硅硼浆进行扩散掺杂;步骤4:在N型单晶硅片的背面印刷背面电极银浆并烘干;步骤5:在N型单晶硅片的背面印刷背面铝浆并烘干;步骤6:在N型单晶硅片的正面印刷主副栅线电极银浆并烧结。本发明采用了在N型单晶硅片的背面印刷纳米硅硼浆并进行激光掺杂的技术手段,有效解决了背结缺陷,构成完善的背结结构,提高了转换效率,具有成本投入低、电池效率高、电池结构稳定、组件模块焊接性能好的优点。
申请公布号 CN104733567A 申请公布日期 2015.06.24
申请号 CN201510143771.0 申请日期 2015.03.30
申请人 百力达太阳能股份有限公司 发明人 陆海斌;孙波远
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人 翁若莹
主权项 一种高效低成本N型背结前接触单晶电池的制作方法,其特征在于:包括如下6个步骤:步骤1:在N型单晶硅片的正面制绒,使用磷扩散,刻蚀清洗,镀减反膜;步骤2:在N型单晶硅片的背面印刷纳米硅硼浆并烘干;步骤3:在N型单晶硅片的背面对纳米硅硼浆进行扩散掺杂;步骤4:在N型单晶硅片的背面印刷背面电极银浆并烘干;步骤5:在N型单晶硅片的背面印刷背面铝浆并烘干;步骤6:在N型单晶硅片的正面印刷主副栅线电极银浆并烧结。
地址 314512 浙江省嘉兴市桐乡市河山镇工业园