发明名称 |
一种高效低成本N型背结前接触单晶电池的制作方法 |
摘要 |
本发明提供了一种高效低成本N型背结前接触单晶电池的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在N型单晶硅片的正面制绒,使用磷扩散,刻蚀清洗,镀减反膜;步骤2:在N型单晶硅片的背面印刷纳米硅硼浆并烘干;步骤3:在N型单晶硅片的背面对纳米硅硼浆进行扩散掺杂;步骤4:在N型单晶硅片的背面印刷背面电极银浆并烘干;步骤5:在N型单晶硅片的背面印刷背面铝浆并烘干;步骤6:在N型单晶硅片的正面印刷主副栅线电极银浆并烧结。本发明采用了在N型单晶硅片的背面印刷纳米硅硼浆并进行激光掺杂的技术手段,有效解决了背结缺陷,构成完善的背结结构,提高了转换效率,具有成本投入低、电池效率高、电池结构稳定、组件模块焊接性能好的优点。 |
申请公布号 |
CN104733567A |
申请公布日期 |
2015.06.24 |
申请号 |
CN201510143771.0 |
申请日期 |
2015.03.30 |
申请人 |
百力达太阳能股份有限公司 |
发明人 |
陆海斌;孙波远 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
上海申汇专利代理有限公司 31001 |
代理人 |
翁若莹 |
主权项 |
一种高效低成本N型背结前接触单晶电池的制作方法,其特征在于:包括如下6个步骤:步骤1:在N型单晶硅片的正面制绒,使用磷扩散,刻蚀清洗,镀减反膜;步骤2:在N型单晶硅片的背面印刷纳米硅硼浆并烘干;步骤3:在N型单晶硅片的背面对纳米硅硼浆进行扩散掺杂;步骤4:在N型单晶硅片的背面印刷背面电极银浆并烘干;步骤5:在N型单晶硅片的背面印刷背面铝浆并烘干;步骤6:在N型单晶硅片的正面印刷主副栅线电极银浆并烧结。 |
地址 |
314512 浙江省嘉兴市桐乡市河山镇工业园 |