| 发明名称 | 形成金属-绝缘体-金属（MIM）电容器结构的机理 | ||
| 摘要 | 本发明提供了金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构及其形成方法。本发明提供了形成金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构的机理的实施例。金属-绝缘体-金属电容器结构包括衬底。MIM电容器结构还包括形成在衬底上的CBM层，并且CBM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层。MIM电容器结构还包括形成在CBM层上的第一高k介电层、形成在第一高k介电层上的绝缘层和形成在绝缘层上的第二高k介电层。MIM电容器结构还包括形成在第二高k介电层上的CTM层，并且CTM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN104733430A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201410787169.6 | 申请日期 | 2014.12.17 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 梁虔硕;林杏芝;叶玉隆;戴志和;黄敬泓 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种装置，包括：衬底；以及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，形成在所述衬底上，其中，所述MIM电容器包括：电容器顶部金属(CTM)层；电容器底部金属(CBM)层；和绝缘体，形成在所述CTM层和所述CBM层之间，其中，所述绝缘体包括绝缘层和第一高k介电层，并且所述第一高k介电层形成在所述CBM层和所述绝缘层之间或者形成在所述CTM层和所述绝缘层之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||