| 发明名称 | 非易失性存储装置的擦除方法及应用该方法的存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种非易失性存储装置的擦除方法及应用该方法的存储装置。一种擦除包括多个存储块的非易失性存储装置的方法包括下述步骤：接收擦除命令；响应于擦除命令，擦除所述多个存储块中的选择的存储块；在执行用于检测选择的存储块是否被正常擦除的擦除确认操作的同时，执行检测连接到用于选择包括在选择的存储块中的串的至少一条选择线的选择晶体管的阈值电压是否改变的操作。 | ||
| 申请公布号 | CN104733046A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201410717769.5 | 申请日期 | 2014.12.01 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 南尚完 |
| 分类号 | G11C16/14(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩芳;尹淑梅 |
| 主权项 | 一种擦除包括多个存储块的非易失性存储装置的方法，该方法包括下述步骤：在非易失性存储装置中接收擦除命令；响应于擦除命令，擦除所述多个存储块中的选择的存储块；在执行用于检测选择的存储块是否被正常擦除的擦除确认操作的同时，执行检测连接到用于选择包括在选择的存储块中的串的至少一条选择线的选择晶体管的阈值电压是否改变的操作。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||