单晶金刚石纳米柱阵列结构的制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种单晶金刚石纳米柱阵列结构的制备方法，包括以下步骤：a.以单晶金刚石为衬底，将纳米分散液滴到单晶金刚石表面，通过旋涂的方法在单晶金刚石表面均匀分散；b.利用反应离子刻蚀技术，采用氧等离子体来刻蚀所述步骤a中分散有纳米颗粒的单晶金刚石；c.采用湿法刻蚀或超声清洗方法，去除单晶金刚石衬底表面的纳米颗粒，即形成单晶金刚石纳米柱阵列结构。本发明采用自组装工艺，对单晶金刚石衬底进行处理，获得单晶金刚石纳米柱阵列结构，再对其进行横向外延生长，获得高质量的单晶金刚石薄膜，可以有效的降低位错密度，改善单晶金刚石薄膜的生长质量。

主权项

单晶金刚石纳米柱阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a.以单晶金刚石为衬底，将纳米分散液滴到单晶金刚石表面，通过旋涂的方法在单晶金刚石表面均匀分散；b.利用反应离子刻蚀技术，采用氧等离子体来刻蚀所述步骤a中分散有纳米颗粒的单晶金刚石；c.采用湿法刻蚀或超声清洗方法，去除单晶金刚石衬底表面的纳米颗粒，即形成单晶金刚石纳米柱阵列结构。