发明名称 |
一种半导体器件的三维电极结构 |
摘要 |
本实用新型公开了一种半导体器件的三维电极结构,包括单晶金刚石晶片材料,单晶金刚石晶片材料上设置有分别作为正极和负极的两个金属电极pad,各个金属电极pad均连接一个或多个等距间隔设置的叉指电极,各叉指电极上均连接有一个或多个相互平行、且设置在单晶金刚石晶片材料内的柱状金属电极。结合平面电极结构和垂直电极结构的优点,在单晶金刚石晶片内引入体电极,实现紫外光或者粒子束激发的电子-空穴对的高效快速收集,提高探测器的响应时间和灵敏度;同时可以避开单晶金刚石晶片表面的复杂性,增加了器件的稳定性;且提高了粒子探测器的抗辐照性能。 |
申请公布号 |
CN204424268U |
申请公布日期 |
2015.06.24 |
申请号 |
CN201520032901.9 |
申请日期 |
2015.01.17 |
申请人 |
王宏兴 |
发明人 |
王宏兴;刘璋成;王玮;李奉南;张景文;卜忍安;侯洵 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
陕西增瑞律师事务所 61219 |
代理人 |
张瑞琪 |
主权项 |
一种半导体器件的三维电极结构,其特征在于,包括单晶金刚石晶片材料,所述单晶金刚石晶片材料上设置有分别作为正极和负极的两个金属电极pad(1),所述的各个金属电极pad(1)均连接一个或多个等距间隔设置的叉指电极(2),所述各叉指电极(2)上均连接有一个或多个相互平行、且设置在所述单晶金刚石晶片材料内的柱状金属电极(3)。 |
地址 |
710049 陕西省西安市咸宁西路28号 |