外延硅晶片及其制造方法、以及贴合SOI晶片及其制造方法

摘要

本发明的外延硅晶片，是使外延硅层气相生长在单晶硅基板的主表面上而成的外延硅晶片，所述外延硅晶片的特征在于：单晶硅基板的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，θ及φ不足10＇，外延硅层的掺杂剂浓度为1×10¹⁹/cm³以上。由此，提供一种外延晶片及其制造方法、以及使用该外延硅晶片而成的贴合SOI晶片及其制造方法，所述外延晶片是在单晶硅基板的主表面上，形成有掺杂剂浓度为1×10¹⁹/cm³以上的外延层，且外延层表面的条纹状凹凸得以被抑制。

主权项

一种贴合SOI晶片的制造方法，其贴合结合晶片与基体晶片来制造贴合SOI晶片，其特征在于，使用外延硅晶片作为所述结合晶片及/或所述基体晶片，从而制造贴合SOI晶片，并且，前述外延硅晶片通过下述的外延硅晶片的制造方法制造，并且，该外延硅晶片的制造方法的特征在于：作为单晶硅基板，使用主表面相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0‑1‑1]方向只倾斜角度θ，并向[01‑1]方向或[0‑11]方向只倾斜角度φ，前述角度θ及角度φ不足10＇的单晶硅基板，使掺杂剂浓度为1×10¹⁹/cm³以上的外延层气相生长在该单晶硅基板的主表面上。