| 发明名称 | 非易失性存储装置和擦除非易失性存储装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了非易失性存储装置和擦除非易失性存储装置的方法。提供了一种擦除非易失性存储装置的方法，非易失性存储装置包括沿垂直于基底的方向形成的多个存储块，每个存储块具有连接到位线的多个串。所述方法包括下述步骤：利用电源电压选择将被擦除的存储块；利用负电压取消选择除了选择的存储块以外的剩余的存储块；设置偏置条件以减小取消选择的存储块的泄漏电流；以及对选择的存储块执行擦除操作。 | ||
| 申请公布号 | CN104733041A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201410666066.4 | 申请日期 | 2014.11.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 南尚完;李康斌;崔奇焕 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩芳;谭昌驰 |
| 主权项 | 一种擦除非易失性存储装置的方法，所述非易失性存储装置包括沿垂直于基底的方向形成的多个存储块，每个存储块具有连接到位线的多个串，所述方法包括下述步骤：利用电源电压选择所述多个存储块中的将被擦除的存储块；利用负电压取消选择所述多个存储块中除了选择的存储块以外的剩余的存储块；设置偏置条件以减小取消选择的存储块的泄漏电流；以及对选择的存储块执行擦除操作。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||