晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括：在基底上形成有第一栅极、位于第一栅极两侧基底中的第一源极、第一漏极；在第一源极、第一漏极上形成金属硅化物；形成刻蚀阻挡层和第一介质层，刻蚀阻挡层覆盖基底、第一栅极和金属硅化物，第一介质层高于第一栅极上的刻蚀阻挡层部分；去除高出第一栅极上表面的第一介质层和刻蚀阻挡层，至第一栅极和第一介质层上表面持平；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层覆盖第一栅极；刻蚀第一介质层、第二介质层和刻蚀阻挡层，形成接触孔，在刻蚀刻蚀阻挡层的条件下，不会刻蚀金属硅化物。金属硅化物的厚度符合预期厚度，金属硅化物的品质较好，可降低接触电阻，提升晶体管和其他器件之间的性能。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成有第一栅极、位于所述第一栅极两侧基底中的第一源极、第一漏极；在所述第一源极、第一漏极上形成金属硅化物；形成刻蚀阻挡层和位于所述刻蚀阻挡层上的第一介质层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述基底、第一栅极和金属硅化物，所述第一介质层高于所述第一栅极上的刻蚀阻挡层部分；去除高出所述第一栅极上表面的第一介质层和刻蚀阻挡层，至所述第一栅极上表面和第一介质层上表面持平；在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层覆盖第一栅极；刻蚀所述第一介质层、第二介质层和刻蚀阻挡层，形成连通金属硅化物的接触孔，在刻蚀所述刻蚀阻挡层的条件下，刻蚀阻挡层相比金属硅化物具有高刻蚀选择比，不会刻蚀金属硅化物。