发明名称 |
掺镝三硫化二铟稀土磁性-荧光纳米材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明的掺镝三硫化二铟稀土磁性-荧光纳米材料及其制备方法,属于纳米材料的技术领域。掺镝三硫化二铟稀土磁性-荧光纳米材料中镝的摩尔百分含量为0.773%~2.590%。制备过程是用乙酸铟溶液、醋酸镝溶液、巯基乙醇溶液和去离子水配制待反应溶液;将雾化的待反应溶液与用氮气携带的H<sub>2</sub>S气体在常温下发生气液相接触反应;将反应产物在100℃下处理20分钟,得到掺镝三硫化二铟稀土磁性-荧光纳米材料。本发明用室温下气液相化学沉积的方法制备出饱和磁化强度较强,特征发射峰较明显,颗粒大小均一的不同掺杂浓度的掺镝三硫化二铟纳米颗粒材料。 |
申请公布号 |
CN104726096A |
申请公布日期 |
2015.06.24 |
申请号 |
CN201510067092.X |
申请日期 |
2015.02.09 |
申请人 |
吉林大学 |
发明人 |
张明喆;李治访 |
分类号 |
C09K11/62(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y25/00(2011.01)I |
主分类号 |
C09K11/62(2006.01)I |
代理机构 |
长春吉大专利代理有限责任公司 22201 |
代理人 |
王恩远 |
主权项 |
一种掺镝三硫化二铟稀土磁性‑荧光纳米材料,其特征在于,在In<sub>2</sub>S<sub>3</sub>材料的结构中镝离子部分替代铟离子;掺镝三硫化二铟稀土磁性‑荧光纳米材料中镝的摩尔百分含量为0.773%~2.590%。 |
地址 |
130012 吉林省长春市前进大街2699号 |