| 发明名称 | 互补金属氧化物半导体X射线检测器 | ||
| 摘要 | 根据一个实施例，提供一种数字X射线检测器。该检测器包括闪烁体层，其配置成吸收从辐射源发射的辐射并且响应于吸收的辐射发出光量子。该检测器还包括互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪，其配置成吸收由闪烁体层发出的光量子。CMOS光成像仪包括第一表面和第二表面，并且第一表面与第二表面相对布置。闪烁体层接触CMOS光成像仪的第一表面。 | ||
| 申请公布号 | CN104737033A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201380042145.1 | 申请日期 | 2013.08.08 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | J·Z·刘;D·E·巴克 |
| 分类号 | G01T1/24(2006.01)I | 主分类号 | G01T1/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 姜冰;姜甜 |
| 主权项 | 一种数字X射线检测器，包括：闪烁体层，配置成吸收从辐射源发出的辐射并且响应于所吸收的辐射而发出光量子；以及互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪，配置成吸收所述闪烁体层发出的光量子，其中所述CMOS光成像仪包括第一表面和第二表面，其中相对所述第二表面来布置所述第一表面，并且所述闪烁体层接触所述CMOS光成像仪的所述第一表面。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||