发明名称 |
N型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 |
摘要 |
本发明公开一种新的SJ-LDMOS器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的SJ-LDMOS器件结构中引入一层N型埋层,该埋层位于超级结层上方。与传统的SJ-LDMOS相比,本发明通过了N型埋层的作用,补偿了超级结内N型柱区和P型柱区之间的电荷不平衡,克服了衬底辅助效应,提高了击穿电压;同时,N型埋层额外增加一条新的导电路径,降低比导通电阻。可以看出该结构的特点是高击穿电压、低导通电阻和超级结层电荷的平衡。本发明提供的新的SJ-LDMOS器件结构还具有制造工艺相对简单,工艺难度较低的特点。本发明更易满足功率电子系统的应用要求。 |
申请公布号 |
CN104733533A |
申请公布日期 |
2015.06.24 |
申请号 |
CN201510112411.4 |
申请日期 |
2015.03.13 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
段宝兴;马剑冲;杨银堂;李春来;袁嵩 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
西安智邦专利商标代理有限公司 61211 |
代理人 |
胡乐 |
主权项 |
N型埋层覆盖型超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,包括:P型半导体衬底;位于所述P型半导体衬底上N型外延层表面的相邻接的P型基区和超级结区;所述超级结区包括N型柱区和P型柱区;位于P型基区部分表面的N型源区;位于超级结区部分表面的N型漏区;其特征在于:所述P型基区与N型漏区之间设置有N型掺杂埋层,覆盖在超级结区余下部分的表面。 |
地址 |
710071 陕西省西安市太白南路2号 |