| 发明名称 | ESD保护结构、包括该结构的栅控功率器件及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种ESD保护结构、包括该结构的栅控功率器件及制造方法。该ESD保护结构包括：第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层内第一具有第二导电类型的阱区和第二具有第二导电类型的阱区；位于外延层内，在第一具有第二导电类型的阱区和第二具有第二导电类型的阱区之间的第一导电类型阱区；位于第一导电类型阱区内的第一导电类型调阈值注入区；位于第一具有第二导电类型的阱区内的第一导电类型漏极注入区；位于第二具有第二导电类型的阱区中的第一导电类型源极注入区；以及位于所述第一导电类型外延层顶部的栅氧化层。该结构具有双向的ESD保护能力，且具有较小的漏电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104733445A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201510115366.8 | 申请日期 | 2015.03.17 |
| 申请人 | 北京中科新微特科技开发股份有限公司 | 发明人 | 孙博韬;王立新;张彦飞 |
| 分类号 | H01L23/60(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人 | 苗源 |
| 主权项 | 一种ESD保护结构，其特征在于，所述ESD保护结构包括：第一导电类型外延层(100)；位于所述第一导电类型外延层(100)内的第一具有第二导电类型的阱区(101‑1)和第二具有第二导电类型的阱区(101‑2)；位于所述外延层(100)内，在所述第一具有第二导电类型的阱区(101‑1)和所述第二具有第二导电类型的阱区(101‑2)之间的第一导电类型阱区(102)；位于所述第一导电类型阱区(102)内的第一导电类型调阈值注入区(104)；位于所述第一具有第二导电类型的阱区(101‑1)内的第一导电类型漏极注入区(105)；位于第二具有第二导电类型的阱区(101‑2)中的第一导电类型源极注入区(106)；以及位于所述第一导电类型外延层(100)顶部的栅氧化层(108)。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路11号中科院微电子所综合楼4层 | ||