| 发明名称 | 金属互连结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属互连结构的制作方法，所述金属互连结构的制作方法至少包括：提供半导体衬底；利用沉积、光刻和等离子刻蚀工艺在所述半导体衬底上形成由钨插塞和铝布线构成的金属互连结构；利用灰化法去除金属互连结构上光刻胶残渣；利用紫外线照射所述金属互连结构；利用有机溶剂清洗被紫外线照射后的所述金属互连结构。本发明有效的改善了传统工艺中会发生钨插塞几乎被完全损耗掉，引起电路断路的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104733376A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201310713456.8 | 申请日期 | 2013.12.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 施京美;张校平;代大全 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述金属互连结构的制作方法至少包括：提供半导体衬底；利用沉积、光刻和等离子刻蚀工艺在所述半导体衬底上形成由钨插塞和铝布线构成的金属互连结构；利用灰化法去除金属互连结构上光刻胶残渣；利用紫外线照射所述金属互连结构；利用有机溶剂清洗被紫外线照射后的所述金属互连结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||