超高密度垂直与非记忆器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种单片三维NAND串以及制造方法。所述串的通道(1)可以是垂直的或V形。该通道的芯填充有绝缘体。控制栅极(3)相对于中介电介质层凹入。电荷存储区域(9)以及阻挡块(7)形成于该凹入部中。屏蔽翼(12)可在控制栅极之后形成。

主权项

一种单片三维NAND串，其包括：半导体通道，其定位于基板上方，所述半导体通道的至少一个端部实质上垂直于所述基板的主要表面延伸；多个控制栅极，其实质上平行于所述基板的主要表面延伸，其中所述多个控制栅极至少包括定位于第一器件层级中的第一控制栅极和定位于第二器件层级中的第二控制栅极，第二器件层级定位于所述基板上方和第一器件层级下方；以及电荷储存材料，其定位于第一器件层级和第二器件层级中；阻挡电介质，其定位于所述电荷储存材料与所述多个控制栅极之间；以及穿隧电介质，其定位于所述多个电荷储存材料与所述半导体通道之间；其中：所述穿隧电介质具有笔直侧壁；所述阻挡电介质的部分具有蛤形状；以及所述多个控制栅极中的每一个至少部分地定位于阻挡电介质的所述蛤形部分中的开口中。