发明名称 晶圆级芯片尺寸封装结构
摘要 本实用新型公开了一种晶圆级芯片尺寸封装结构,包括具有至少一个芯片单元的晶圆,芯片单元包括衬底和位于衬底的正面的介质层,衬底的正面设置有元件区,元件区周边设有若干焊垫,且焊垫位于介质层内,元件区与其周边的焊垫电性相连,介质层上具有暴露部分焊垫正面的第三开口;衬底的背面与每个焊垫相对的位置形成有第一开口,衬底的背面和第一开口的内壁上形成有绝缘层,第一开口底部的绝缘层上形成有第二开口,第二开口暴露出焊垫的背面;第三开口内形成有加强层。本实用新型不仅增加了芯片的封装强度,避免了第二开口易穿透焊垫出现的可靠性问题;同时,降低了工艺难度,增加了工艺窗口,提高了芯片的可靠性。
申请公布号 CN204424240U 申请公布日期 2015.06.24
申请号 CN201520054840.6 申请日期 2015.01.26
申请人 华天科技(昆山)电子有限公司 发明人 金凯;万里兮;钱静娴;翟玲玲;黄小花;沈建树;王晔晔;廖建亚;邹益朝;王珍
分类号 H01L23/31(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 昆山四方专利事务所 32212 代理人 盛建德;段新颖
主权项 一种晶圆级芯片尺寸封装结构,其特征在于:包括具有至少一个芯片单元(1)的晶圆,所述芯片单元包括衬底(101)和位于所述衬底的正面的介质层(102),所述衬底的正面设置有元件区(103),所述元件区周边设有若干焊垫(104),且所述焊垫位于所述介质层内,所述元件区与其周边的焊垫电性相连,所述介质层上具有暴露部分所述焊垫正面的第三开口(105);所述衬底的背面与每个所述焊垫相对的位置形成有第一开口(6),所述衬底的背面和所述第一开口的内壁上形成有绝缘层(4),所述第一开口底部的绝缘层上形成有第二开口(7),所述第二开口暴露出所述焊垫的背面;所述第三开口内形成有加强层。
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