| 发明名称 | 带有存储功能的MOS器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种带有存储功能的MOS器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面上覆盖有第一介质层，所述第一介质层中形成有金属互连结构；形成第二介质层，覆盖所述第一介质层和金属互连结构的表面；在所述第二介质层中形成开口，所述开口的底部暴露出所述金属互连结构；在所述开口的底部形成合金层，所述合金层的材料为铜和其他金属的合金；对所述合金层和金属互连结构进行热处理，在所述金属互连结构的表面形成含金属的氧化物层。所述含氧的化合物层与形成于所述半导体衬底中的MOS器件共同构成带有存储功能的MOS器件。本发明的工艺可控性较高，有利于改善器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102543734B | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201010579748.3 | 申请日期 | 2010.12.08 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 赵超;王文武 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种带有存储功能的MOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面上覆盖有第一介质层，所述第一介质层中形成有金属互连结构；形成第二介质层，覆盖所述第一介质层和金属互连结构的表面；在所述第二介质层中形成开口，所述开口的底部暴露出所述金属互连结构，对所述金属互连结构的表面进行氧化；在所述开口的底部形成合金层，所述合金层的材料为铜和其他金属的合金；对所述合金层和金属互连结构进行热处理，在所述金属互连结构的表面形成含氧的化合物层，所述含氧的化合物层为含金属的氧化物层，所述含金属的氧化物层作为存储介质。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||