倒装LED芯片及其制造方法

摘要

本发明揭示了一种倒装LED芯片及其制造方法。包括提供包括衬底，形成于所述衬底上的N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层的前端结构；在前端结构上形成有欧姆接触层、反射镜介质层及反射镜金属层，然后形成连接N型氮化镓层的第一电极和连接反射镜金属层的第二电极。在本发明提供的倒装LED芯片中，在氮化镓与反射镜介质层全反射角外的入射光线可完成全反射，降低了反射镜对光的吸收比例，同时提高了反射镜全入射角度的平均反射率，提高了芯片的出光效率，提升了LED芯片的光电转换效率。

主权项

一种倒装LED芯片的制造方法，包括：提供前端结构，所述前端结构包括衬底，依次形成于所述衬底上的N型氮化镓层、量子阱层和P型氮化镓层；在所述前端结构表面上形成欧姆接触层，并进行图案化，暴露出所述P型氮化镓层；在所述欧姆接触层上形成反射镜介质层，并进行图案化，暴露出所述P型氮化镓层和部分欧姆接触层；形成反射镜金属层，所述反射镜金属层覆盖所述反射镜介质层和暴露出的欧姆接触层；刻蚀暴露出的P型氮化镓层、量子阱层形成第一电极接触孔；以及在所述第一电极接触孔中形成第一电极，在覆盖暴露出的欧姆接触层的反射镜金属层上形成第二电极。