发明名称 |
半导体器件的测试和器件及其设计 |
摘要 |
半导体器件的测试和器件及其设计。根据本发明的实施例,测试多个半导体器件的方法包括在布置在衬底之上的屏蔽线上施加具有峰值电压的耐受电压。衬底具有半导体器件的功能电路。固定电压被施加到布置在相邻于屏蔽线的衬底之上的第一金属线。第一金属线耦合到功能电路并被配置成在操作期间耦合到高电压节点。峰值电压比最大固定电压大。屏蔽线使第一金属线与配置成在操作期间耦合到低电压节点的相邻第二金属线分离。该方法还包括响应于耐受电压而测量穿过屏蔽线的电流,确定穿过半导体器件的屏蔽线的电流,并基于该确定来将半导体器件识别为通过测试。 |
申请公布号 |
CN104733439A |
申请公布日期 |
2015.06.24 |
申请号 |
CN201410795551.1 |
申请日期 |
2014.12.19 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
S.阿雷素;M.勒纳 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
蒋骏;胡莉莉 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:第一金属线,其布置在包括电路的衬底之上;第二金属线,其相邻于所述第一金属线而布置,其中所述第一金属线和所述第二金属线是配置成向所述电路供应不同的电压的金属线;以及第三金属线,其布置在所述第一金属线和所述第二金属线之间,所述第三金属线不是在所述衬底中的任何功能电路的部分,且不耦合到任何电位节点。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |