| 发明名称 | 相移掩膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的相移掩膜的制造方法包括在含有10.4％以下的氧化性气体的混合气体的气氛下对铬系材料的靶进行溅射的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN104737072A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201380054682.8 | 申请日期 | 2013.12.19 |
| 申请人 | 爱发科成膜株式会社 | 发明人 | 望月圣;中村大介;影山景弘 |
| 分类号 | G03F1/26(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 张路;王琦 |
| 主权项 | 一种相移掩膜的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在透明基板上形成经图案化的以Cr为主要成分的遮光层；以及通过在含有惰性气体、氮化性气体、及氧化性气体的混合气体的气氛下对铬系材料的靶进行溅射，从而形成以Cr为主要成分的相移层并进行图案化，且该相移层具有对于i线为大致180°的相位差，并且可将所述混合气体中的所述氧化性气体设为10.4％以下，可将g线的透射率与所述i线的透射率之差设为5％以下。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||