发明名称 |
一种高纯度二氧化硅的制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种高纯度二氧化硅的制备方法,具体步骤为:(1)纯水加热至75-90℃,加入分析纯硅酸钠搅拌加热至溶解后过滤,滤液保持澄清,得硅酸钠溶液备用,其中纯水与分析纯硅酸钠的体积质量比按ml/g计为1.5-3∶1;(2)将高纯硝酸配制成50%硝酸溶液并缓慢加入到硅酸钠溶液中,同时不断搅拌使其生成颗粒细小的结晶,即二氧化硅结晶;(3)待结晶沉淀完全后停止加入硝酸,静置结晶8-15小时,加入75-90℃热水洗至结晶中氯化物检测合格后,将结晶离心甩干,装盘于100℃烘干8-12小时,再进入高温炉于900℃-1000℃灼烧8-12小时,即得;所述制备方法满足了光学领域对二氧化硅高纯度的生产需求。 |
申请公布号 |
CN104724716A |
申请公布日期 |
2015.06.24 |
申请号 |
CN201310733295.9 |
申请日期 |
2013.12.23 |
申请人 |
天津市科密欧化学试剂有限公司 |
发明人 |
李刚;刘庆山 |
分类号 |
C01B33/18(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/18(2006.01)I |
代理机构 |
天津市三利专利商标代理有限公司 12107 |
代理人 |
李蕊 |
主权项 |
一种高纯度二氧化硅的制备方法,其特征在于:具体制备步骤如下:(1)纯水加热至75‑90℃,加入分析纯硅酸钠搅拌加热至溶解后过滤,滤液保持澄清,得硅酸钠溶液备用,其中纯水与分析纯硅酸钠的体积质量比按ml/g计为1.5‑3:1;(2)将高纯硝酸配制成50%硝酸溶液并缓慢加入到步骤(1)的硅酸钠溶液中,同时不断搅拌使其生成颗粒细小的结晶,即二氧化硅结晶;(3)待结晶沉淀完全后停止加入硝酸,静置结晶8‑15小时,加入75‑90℃热水洗至结晶中氯化物检测合格后,将结晶离心甩干,装盘于100℃烘干8‑12小时,再进入高温炉于900℃‑1000℃灼烧8‑12小时,即得。 |
地址 |
300000 天津市津南区咸水沽镇工业园区兴园路11号 |