| 发明名称 | 耦合型微米光纤起偏器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种耦合型微米光纤起偏器及其制备方法，耦合型微米光纤起偏器包括第一微结构光纤和第二微结构光纤，第一微结构光纤包括纤芯和包层，其中间有一段被拉细成微米光纤，其包层直径为3μm～10μm，微米光纤的长度为7.5mm～28mm，微米光纤与两端的普通光纤均形成锥形过渡区；所述第二微结构光纤也包括纤芯和包层，还包括一段长度与第一微结构光纤的微米光纤的长度相同且包层直径为3μm～10μm的微米光纤，其至少有一端与普通光纤相连接并在连接处形成锥形过渡区；两段微米光纤平行紧贴。本发明具有制作简单、成本低廉、超高起偏性能等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102736180B | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201210173011.0 | 申请日期 | 2012.05.30 |
| 申请人 | 暨南大学 | 发明人 | 余健辉;杜垚;陈哲;张军;李浩智 |
| 分类号 | G02B6/27(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/27(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 何淑珍;廖继海 |
| 主权项 | 一种耦合型微米光纤起偏器，其特征在于包括第一微结构光纤和第二微结构光纤，第一微结构光纤包括纤芯和包层，其中间有一段被拉细成微米光纤，其包层直径为3μm～10μm，微米光纤的长度为7.5mm～28mm，微米光纤与两端的第一微结构光纤均形成锥形过渡区；所述第二微结构光纤也包括纤芯和包层，还包括一段长度与第一微结构光纤的微米光纤的长度相同且包层直径为3μm～10μm的微米光纤，其至少有一端与第二微结构光纤相连接并在连接处形成锥形过渡区；两段微米光纤平行紧贴，两微米光纤耦合长度为TE偏振光拍长的奇数倍，同时为TM偏振光拍长的偶数倍，光源的工作波长为1550nm。 | ||
| 地址 | 510630 广东省广州市天河区石牌黄埔大道西601号 | ||