发明名称 |
陀螺仪传感器补偿电容耐压电路 |
摘要 |
本实用新型涉及一种陀螺仪传感器补偿电容耐压电路。其目的是为了提供一种结构简单、构思巧妙的耐压电路。本实用新型包括电压放大器和共源放大电路,电压放大器的输出端接入共源放大电路中。共源放大电路中第三MOS管的漏极和第四MOS管的漏极分别与第五MOS管的源极和第六MOS管的源极连接,第五MOS管的漏极和第六MOS管的漏极连接。第一MOS管的源极设置在Class-AB功率放大器和第三MOS管之间,第二MOS管的源极设置在Class-AB功率放大器和第四MOS管之间。在第一MOS管的漏极处引出的第一支路上设置有第二电容,在第二MOS管的漏极处引出的第二支路上设置有第一电容,第一支路和第二支路的另一端相互连接后再引出电压输出端。 |
申请公布号 |
CN204421914U |
申请公布日期 |
2015.06.24 |
申请号 |
CN201520116085.X |
申请日期 |
2015.02.26 |
申请人 |
北京芯动联科微电子技术有限公司 |
发明人 |
高峰 |
分类号 |
G01C19/00(2013.01)I |
主分类号 |
G01C19/00(2013.01)I |
代理机构 |
北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙) 11487 |
代理人 |
刘葛;郭鸿雁 |
主权项 |
一种陀螺仪传感器补偿电容耐压电路,包括电压放大器、Class‑AB功率放大器和四个MOS管,电压放大器的输出端分别与Class‑AB功率放大器的输出端和第四MOS管(Mn1)的栅极连接,Class‑AB功率放大器的输入端与第三MOS管(Mp1)的栅极连接,第三MOS管(Mp1)的源极和第四MOS管(Mn1)的源极分别与高压电源端(HV)和地(GND)连接,第三MOS管(Mp1)的漏极和第四MOS管(Mn1)的漏极分别与第五MOS管(Mp2)的源极和第六MOS管(Mn2)的源极连接,第五MOS管(Mp2)的漏极和第六MOS管(Mn2)的漏极连接,其特征在于:还包括至少一个第一MOS管(Mp3)和至少一个第二MOS管(Mn3),第一MOS管(Mp3)和第二MOS管(Mn3)设置在第三MOS管(Mp1)和第四MOS管(Mn1)之间,第一MOS管(Mp3)的源极设置在Class‑AB功率放大器和第三MOS管(Mp1)之间,第二MOS管(Mn3)的源极设置在Class‑AB功率放大器和第四MOS管(Mn1)之间,在第一MOS管(Mp3)和第二MOS管(Mn3)的两侧分别设置有同向电流源,在第一MOS管(Mp3)的漏极处引出第一支路,第一支路上依次串联有第二电容(C2),在第二MOS管(Mn3)的漏极处引出第二支路,第二支路上依次串联有第一电容(C1),第一支路的另一端和第二支路的另一端相互连接后再与第五MOS管(Mp2)的漏极和第六MOS管(Mn2)的漏极之间的导线连接,在第五MOS管(Mp2)的漏极和第六MOS管(Mn2)的漏极之间的连接点上引出电压输出端(Vo)。 |
地址 |
100080 北京市海淀区海淀大街3号鼎好大厦A705 |