| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有掩膜层，所述衬底内具有若干沟槽，所述沟槽内具有隔离结构，所述隔离结构的表面与掩膜层的表面齐平；刻蚀部分所述隔离结构，使所述隔离结构的表面低于衬底表面，并暴露出部分沟槽的侧壁表面；在刻蚀部分隔离结构之后，采用表面处理工艺在沟槽暴露出的侧壁表面形成保护层；在形成保护层之后，去除掩膜层。所形成的半导体结构形貌良好、性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN104733315A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201310698760.X | 申请日期 | 2013.12.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘佳磊 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有掩膜层，所述衬底内具有若干沟槽，所述沟槽内具有隔离结构，所述隔离结构的表面与掩膜层的表面齐平；刻蚀部分所述隔离结构，使所述隔离结构的表面低于衬底表面，并暴露出部分沟槽的侧壁表面；在刻蚀部分隔离结构之后，采用表面处理工艺在沟槽暴露出的侧壁表面形成保护层；在形成保护层之后，去除掩膜层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||