浅沟槽隔离结构的减薄方法

摘要

本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的减薄方法。该减薄方法包括：步骤S1，在半导体基底上制作隧穿氧化层、浅沟槽隔离结构和浮栅，半导体基底划分为存储单元区和外围电路区；步骤S2，刻蚀减薄存储单元区和外围电路区的浅沟槽隔离结构，在被刻蚀的浅沟槽隔离结构所在位置形成开口；步骤S3，在存储单元区和外围电路区的浮栅、浅沟槽隔离结构的表面形成ONO层；步骤S4，刻蚀去除外围电路区的ONO层和浮栅；以及步骤S5，刻蚀减薄外围电路区的浅沟槽隔离结构。同时对存储单元区和外围电路区的浅沟槽隔离结构进行刻蚀减薄，简化了减薄的流程；后续刻蚀在ONO层的保护下，有效避免了浅沟槽隔离结构顶部两侧边沟的出现。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的减薄方法，其特征在于，所述减薄方法包括：步骤S1，在半导体基底上制作隧穿氧化层、浅沟槽隔离结构和浮栅，所述半导体基底划分为存储单元区和外围电路区；步骤S2，刻蚀减薄所述存储单元区和所述外围电路区的浅沟槽隔离结构，在被刻蚀的所述浅沟槽隔离结构所在位置形成开口；步骤S3，在所述存储单元区和所述外围电路区的所述浮栅、所述浅沟槽隔离结构的表面形成ONO层；步骤S4，刻蚀去除所述外围电路区的所述ONO层和所述浮栅；以及步骤S5，刻蚀减薄所述外围电路区的所述浅沟槽隔离结构。