一种晶圆三维集成引线工艺

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆三维集成的方法，在将两片或多片待处理晶圆通过混合键合或硅穿孔等技术实现跨晶圆电路互连后，进行晶圆减薄，之后通过新工艺将PAD引出，即在晶圆三维集成中将PAD引出，从而不需要特殊的封装工艺，且将PAD引出工艺和堆叠晶圆连线工艺统一化，实现了晶圆三维集成引线工艺的简化。

主权项

一种晶圆三维集成引线工艺，其特征在于，包括如下步骤：提供一键合晶圆，所述键合晶圆设置有互不接触的第一金属层和第二金属层；刻蚀所述键合晶圆，以形成将所述第一金属层的部分表面和所述第二金属层的部分表面均予以暴露的互连硅穿孔；于所述互连硅穿孔中填充金属，以形成将所述第一金属层与所述第二金属层予以电连接的金属连线；形成导电稳定层以覆盖所述金属连线暴露的表面；继续形成第三金属层以将所述导电稳定层暴露的表面予以覆盖。