发明名称 一种点阵列表面增强拉曼基底及制备方法
摘要 本发明涉及一种表面增强拉曼基底技术,尤其涉及一种点阵列表面增强拉曼基底及制备方法。制备方法依次包括以下步骤:a、制备粒径均匀的铁氧化物颗粒;b、在铁氧化物颗粒外包覆金层,得到包金磁性纳米颗粒;c、制备出具有点阵列式微凹坑的硅片基底;d、所述硅片基底清洗后吹干;e、将所述硅片基底亲水处理;f、在磁铁的吸引作用下,将包金磁性纳米颗粒富集于微凹坑中;g、清洁硅片基底上外溢于微凹坑的包金磁性纳米颗粒,得到硬质表面增强拉曼基底。本发明的点阵列表面增强拉曼基底,由前述方法制得。本发明的点阵列表面增强拉曼基底制备方法,能制备出灵敏度较高、重复性较好、均一稳定性较高的活性基底。
申请公布号 CN104730059A 申请公布日期 2015.06.24
申请号 CN201510120872.6 申请日期 2015.03.18
申请人 苏州大学 发明人 刘坚;叶敏
分类号 G01N21/65(2006.01)I 主分类号 G01N21/65(2006.01)I
代理机构 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人 杨明
主权项 一种点阵列表面增强拉曼基底制备方法,其特征在于:依次包括以下步骤:a、制备粒径均匀的含铁、钴或镍的金属氧化物的磁性纳米颗粒;b、在磁性纳米颗粒外包覆金层,得到包金磁性纳米颗粒;c、制备出具有点阵列式微凹坑的硅片基底;d、所述硅片基底清洗后吹干;e、将所述硅片基底亲水处理;f、在磁铁的吸引作用下,将包金磁性纳米颗粒富集于微凹坑中;g、清洁硅片基底上外溢于微凹坑的包金磁性纳米颗粒,得到硬质表面增强拉曼基底。
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