发明名称 | 多晶薄膜形貌的测量方法及测量装置 | ||
摘要 | 本发明提供了一种多晶薄膜形貌的测量方法及测量装置,所述测量方法包括1)获取所述多晶薄膜在至少三个偏振角度的偏振光照射下的至少三个透射图;2)计算所述透射图上的每一个像素点在所述至少三个偏振角度下的真实透过率;3)根据1-A-B·cos<sup>2</sup>(θ-β)对每一个像素点在所述至少三个偏振角度下的真实透过率进行拟合,得到每一个像素点的A、B和β的拟合值;4)将每一个像素点的B的拟合值根据每一个像素点在所述透射图中的位置排列成第一阵列,以及将每一个像素点的β的拟合值根据每一个像素点在所述透射图中的位置排列成第二阵列。本发明的测量方法能够直观、快速、低成本、大面积测量多晶薄膜的形貌。 | ||
申请公布号 | CN104729425A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
申请号 | CN201510116916.8 | 申请日期 | 2015.03.17 |
申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 何小川;翁羽翔 |
分类号 | G01B11/24(2006.01)I | 主分类号 | G01B11/24(2006.01)I |
代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇;王博 |
主权项 | 一种多晶薄膜形貌的测量方法,包括下列步骤:1)获取所述多晶薄膜在至少三个偏振角度的偏振光照射下的至少三个透射图;2)计算所述透射图上的每一个像素点在所述至少三个偏振角度下的真实透过率;3)根据1‑A‑B·cos<sup>2</sup>(θ‑β)对每一个像素点在所述至少三个偏振角度下的真实透过率进行拟合,得到每一个像素点的A、B和β的拟合值;其中,θ是偏振光的光电场矢量与偏振光的起始偏振方向的角度,所述偏振角度为所述偏振光的偏振方向与起始偏振方向的角度,A为所述多晶薄膜的各向同性吸收率,B·cos<sup>2</sup>(θ‑β)为所述多晶薄膜的各向异性吸收率;4)将每一个像素点的B的拟合值根据每一个像素点在所述透射图中的位置排列成第一阵列,以及将每一个像素点的β的拟合值根据每一个像素点在所述透射图中的位置排列成第二阵列。 | ||
地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 |