| 发明名称 | Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系晶体膜的成膜方法和晶体层叠结构体 | ||
| 摘要 | 提供能在量产时以足够的生长速度形成晶体品质、表面的平坦性优异的Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系晶体膜的Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系晶体膜的成膜方法和包括通过该成膜方法形成的Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系晶体膜的晶体层叠结构体。作为一实施方式，提供在Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系基板(10)的面方位为(001)的主面(11)上以750℃以上的生长温度使Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系晶体膜(12)外延生长的Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系晶体膜(12)的成膜方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104726935A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201410810880.9 | 申请日期 | 2014.12.23 |
| 申请人 | 株式会社田村制作所;独立行政法人情报通信研究机构 | 发明人 | 佐佐木公平;东胁正高 |
| 分类号 | C30B29/16(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人 | 徐谦 |
| 主权项 | 一种Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系晶体膜的成膜方法，其特征在于，在Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系基板的面方位为(001)的主面上以750℃以上的生长温度使Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系晶体膜外延生长。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||