多栅极场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明揭示了一种多栅极场效应晶体管及其制造方法，所述多栅极场效应晶体管的鳍状结构包括硅层和硅锗层，所述硅锗层位于所述硅层的上表面和侧壁上，由于硅锗层位于硅层的上表面和侧面，多面均包裹所述硅层，故能够对硅层产生较佳的应力作用，提高了鳍状结构中沟道区的迁移率，进一步提高了多栅场效应晶体管的性能。同时，针对上述多栅极场效应晶体管的结构，本发明所揭示的制作方法利用第一硅锗薄膜在硅层上选择性沉积的特性，以及第二硅锗薄膜能够选择性外延生长的特性，形成了硅锗层位于硅层的上表面和侧面，多个面均包裹所述硅层的结构，简化工艺步骤并减少杂质引入，进一步提高多栅极场效应晶体管的性能。

主权项

一种多栅极场效应晶体管的制作方法，包括提供一基材，在所述基材上依次形成硅层薄膜和氮化硅层；图案化所述氮化硅层，并以图案化的氮化硅层为掩膜，刻蚀部分厚度的硅层薄膜，形成沟槽；在所述沟槽中形成第一硅锗薄膜；以所述第一硅锗薄膜为掩膜，刻蚀去除所述图案化的氮化硅层及其下方的硅层薄膜，形成硅层，所述硅层位于所述第一硅锗薄膜下方；在所述硅层的侧壁形成第二硅锗薄膜，所述第一硅锗薄膜与所述第二硅锗薄膜形成硅锗层，所述硅层与所述硅锗层形成鳍状结构；在所述鳍状结构的中间区域的表面和侧壁上形成栅极介电层和栅极电极。